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2N_场效电晶体 小分类共有 35 个产品      |<<    <<    页次:4 / 4        转到:

2N3820
P沟道通用放大器
100Y编号: 35773
厂商编号: 2N3820
制造厂商: Fairchild
所在分类: 32. 2N_场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionP沟道通用放大器
Pins/PackageTO-92
Pd(max.)0.35W
数 量:

2N3819
N-Channel JFET
100Y编号: 35772
厂商编号: 2N3819
制造厂商: VISHAY
所在分类: 32. 2N_场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN-Channel JFET
Pins/PackageTO-226AA(TO-92)
Pd(max.)
数 量:

2N4092
N-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/431
100Y编号: 34623
厂商编号: 2N4092
制造厂商:
所在分类: 32. 2N_场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/431
Pins/PackageTO-18 (TO-206AA)
Pd(max.)0.36W
数 量:

2N7000
N沟道增强型场效应管电晶体
100Y编号: 29231
厂商编号: 2N7000
制造厂商: Fairchild
所在分类: 32. 2N_场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN沟道增强型场效应管电晶体
Pins/Package3P/TO-92
Pd(max.)400mW
数 量:

H2N7000
N-Ch. Enhancement Mode Field Effect Transistor
100Y编号: 23221
厂商编号: H2N7000
制造厂商: HSMC
所在分类: 32. 2N_场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 制造厂商资料 --
DescriptionN-Ch. Enhancement Mode Field Effect Transistor
Pins/Package3P/TO-92
Pd(max.)400mW
数 量:

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