HAMAMATSU_光接收二极体 小分类共有 114 个产品
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滨松_APD (雪崩光电二极管), For 800nm Band |
100Y编号: |
68223 |
厂商编号: |
S2383 |
制造厂商: |
HAMAMATSU |
所在分类: |
23. HAMAMATSU_光接收二极体
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技术资料: |
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暂无 |
制造厂商资料 -- |
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Description | 滨松_APD (雪崩光电二极管), For 800nm Band | λP(nm) | 800nm | Vr | 0.65 |
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Si Photodiode, For UV to Visible, Precision Photometry, Suppressde IR sensitivity |
100Y编号: |
66501 |
厂商编号: |
S1226-18BQ |
制造厂商: |
HAMAMATSU |
所在分类: |
23. HAMAMATSU_光接收二极体
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技术资料: |
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制造厂商资料 -- |
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Description | Si Photodiode, For UV to Visible, Precision Photometry, Suppressde IR sensitivity | λP(nm) | 720nm | △θ(deg) | |
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滨松_二极管 |
100Y编号: |
63821 |
厂商编号: |
S3279 |
制造厂商: |
HAMAMATSU |
所在分类: |
23. HAMAMATSU_光接收二极体
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技术资料: |
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制造厂商资料 -- |
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Description | 滨松_二极管 | λP(nm) | 800 | △θ(deg) | |
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滨松_光接收二极体 |
100Y编号: |
63176 |
厂商编号: |
S1133-14 |
制造厂商: |
HAMAMATSU |
所在分类: |
23. HAMAMATSU_光接收二极体
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技术资料: |
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制造厂商资料 -- |
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Description | 滨松_光接收二极体 | λP(nm) | 720nm | △θ(deg) | |
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滨松_光接收二极体 |
100Y编号: |
62919 |
厂商编号: |
S5973-02 |
制造厂商: |
HAMAMATSU |
所在分类: |
23. HAMAMATSU_光接收二极体
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技术资料: |
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制造厂商资料 -- |
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Description | 滨松_光接收二极体 | λP(nm) | 760nm | Vr | 20V |
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滨松_Si PIN photodiode |
100Y编号: |
62893 |
厂商编号: |
S5821-03 |
制造厂商: |
HAMAMATSU |
所在分类: |
23. HAMAMATSU_光接收二极体
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技术资料: |
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制造厂商资料 -- |
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Description | 滨松_Si PIN photodiode | λP(nm) | 960nm | Vr | 20V |
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滨松_Si photodiode |
100Y编号: |
62309 |
厂商编号: |
S4111-16Q |
制造厂商: |
HAMAMATSU |
所在分类: |
23. HAMAMATSU_光接收二极体
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技术资料: |
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Description | 滨松_Si photodiode | λP(nm) | 960nm | Vr | 15V |
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Sub-Mount Type Photodiode For LD Monitor |
100Y编号: |
62286 |
厂商编号: |
G8941-01 |
制造厂商: |
HAMAMATSU |
所在分类: |
23. HAMAMATSU_光接收二极体
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技术资料: |
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Description | Sub-Mount Type Photodiode For LD Monitor | λP(nm) | 0.9~1.7μm | △θ(deg) | |
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滨松_Si photodiode |
100Y编号: |
61839 |
厂商编号: |
S1336-18BU |
制造厂商: |
HAMAMATSU |
所在分类: |
23. HAMAMATSU_光接收二极体
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技术资料: |
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Description | 滨松_Si photodiode | λP(nm) | 960nm | Vr | 5V |
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Silicon PIN Photodiode with very Short Switching Time |
100Y编号: |
61172 |
厂商编号: |
S1227-33BQ |
制造厂商: |
HAMAMATSU |
所在分类: |
23. HAMAMATSU_光接收二极体
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技术资料: |
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Description | Silicon PIN Photodiode with very Short Switching Time | λP(nm) | 720nm | Vr | 5V |
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