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HAMAMATSU_光接收二极体 小分类共有 114 个产品      |<<    <<    >>    >>|    页次:11 / 12        转到:

S9648
滨松_PHOTO IC DIODE
100Y编号: 44990
厂商编号: S9648
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description滨松_PHOTO IC DIODE
λP(nm)560nm
Vr-0.5~16V
数 量:

S9067-01
滨松_Photo IC Diode
100Y编号: 44989
厂商编号: S9067-01
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description滨松_Photo IC Diode
数 量:

S7565
滨松_光感测元件
100Y编号: 44988
厂商编号: S7565
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description滨松_光感测元件
重量0.98g
数 量:

S1223-01
滨松_Si Pin Photodiode
100Y编号: 41239
厂商编号: S1223-01
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description滨松_Si Pin Photodiode
λP(nm)960nm
Vr30V(max)
数 量:

S3884
滨松_photodiode
100Y编号: 40564
厂商编号: S3884
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 制造厂商资料 --
Description滨松_photodiode
λP(nm)800nm
△θ(deg)5.0mm
数 量:

S2381
滨松_APD optimized for Infrared Low Bias Voltage type
100Y编号: 39294
厂商编号: S2381
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 制造厂商资料 --
Description滨松_APD optimized for Infrared Low Bias Voltage type
λP(nm)800nm
△θ(deg)
数 量:

S1087-01
滨松_Ceramic package photodiode with low dark current
100Y编号: 37544
厂商编号: S1087-01
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description滨松_Ceramic package photodiode with low dark current
λP(nm)
△θ(deg)
数 量:

S1087
滨松_Ceramic package photodiode with low dark current
100Y编号: 37543
厂商编号: S1087
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description滨松_Ceramic package photodiode with low dark current
λP(nm)
△θ(deg)
数 量:

S2387-1010R
滨松_photodiode
100Y编号: 28359
厂商编号: S2387-1010R
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 制造厂商资料 --
Description滨松_photodiode
λP(nm)960nm
△θ(deg)
数 量:

S2387-130R
滨松_photodiode
100Y编号: 28358
厂商编号: S2387-130R
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 制造厂商资料 --
Description滨松_photodiode
λP(nm)960nm
△θ(deg)
数 量:

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