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J-FET+MOSFET+模块 中分类下共有 15 个小分类
1﹒2N_场效电晶体 ( 35 ) 2﹒2SJ_场效电晶体 ( 30 ) 3﹒2SK_功率场效电晶体 ( 112 )
4﹒Fairchild_功率场效电晶体 ( 516 ) 5﹒IXYS_功率场效电晶体 ( 103 ) 6﹒IR_功率场效电晶体 ( 985 )
7﹒Infineon_功率场效电晶体 ( 65 ) 8﹒NXP_功率场效电晶体 ( 73 ) 9﹒ON_功率场效电晶体 ( 128 )
10﹒ROHM_功率场效电晶体 ( 171 ) 11﹒ST_功率场效电晶体 ( 410 ) 12﹒TOSHIBA_功率场效电晶体 ( 172 )
13﹒VISHAY_功率场效电晶体 ( 536 ) 14﹒其它系列场效电晶体 ( 300 ) 15﹒MOSFET模块 ( 28 )
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RFP70N06
N-Channel Power MOSFET
100Y编号: 3939
厂商编号: RFP70N06
制造厂商: HARRIS
所在分类: 32. 其它系列场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN-Channel Power MOSFET
Pins/Package3P/TO-220
Pd(max.)150W
数 量:

RFP50N06
N-Ch. Power MOSFET
100Y编号: 3938
厂商编号: RFP50N06
制造厂商: HARRIS
所在分类: 32. 其它系列场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN-Ch. Power MOSFET
Pins/Package3P/TO-220
Pd(max.)131W
数 量:

RFD15P05
P-Ch. Power MOSFET
100Y编号: 3933
厂商编号: RFD15P05
制造厂商: Intersil
所在分类: 32. 其它系列场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionP-Ch. Power MOSFET
Pins/Package3P/TO-251(I-Pak)
Pd(max.)67.5W
数 量:

RFD16N05
16A, 50V, 0.047 Ohm逻辑层N沟道功率MOSFET
100Y编号: 3931
厂商编号: RFD16N05
制造厂商: Fairchild
所在分类: 32. 其它系列场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description16A, 50V, 0.047 Ohm逻辑层N沟道功率MOSFET
Pins/Package3P/TO-251AA
Pd(max.)60W
数 量:

VNS7NV04TR-E
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
100Y编号: 1059
厂商编号: VNS7NV04TR-E
制造厂商: ST(SGS)
所在分类: 32. 其它系列场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 制造厂商资料 --
DescriptionOMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
Pins/PackageSO-8
Pd(max.)4.6
数 量:

VNS3NV04TR-E
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
100Y编号: 1056
厂商编号: VNS3NV04TR-E
制造厂商: ST(SGS)
所在分类: 32. 其它系列场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionOMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
Pins/PackageSO-8
Pd(max.)8.3W
数 量:

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