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其它系列场效电晶体 小分类共有 259 个产品      >>    >>|    页次:1 / 26        转到:

DN2540N5-G
100Y编号: 132759
厂商编号: DN2540N5-G
制造厂商:
所在分类: 32. 其它系列场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 -- 暂无
暂无
数 量:

QPD1009
15W, 50V, DC-4GHz, GaN RF Transistor
100Y编号: 132083
厂商编号: QPD1009
制造厂商:
所在分类: 32. 其它系列场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description15W, 50V, DC-4GHz, GaN RF Transistor
Pins/Package16P/QFN
Pd(max.)16W
数 量:

CGHV1J006D-GP4
6W, 18Ghz, GaN HEMT Die
100Y编号: 132079
厂商编号: CGHV1J006D-GP4
制造厂商:
所在分类: 32. 其它系列场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description6W, 18Ghz, GaN HEMT Die
Pins/PackageDIE
Pd(max.)6W
数 量:

CGH40006S
6W, RF Power GaN HEMT, Plastic
100Y编号: 132074
厂商编号: CGH40006S
制造厂商:
所在分类: 32. 其它系列场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description6W, RF Power GaN HEMT, Plastic
Pins/Package6P/QFN
Pd(max.)6.9W
数 量:

TGF2977-SM
DC-12GHz, 32V, 5W GaN RF Transistor
100Y编号: 132047
厂商编号: TGF2977-SM
制造厂商:
所在分类: 32. 其它系列场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionDC-12GHz, 32V, 5W GaN RF Transistor
Pins/Package16P/QFN
Pd(max.)
数 量:

AON6262E
场效应管
100Y编号: 131799
厂商编号: AON6262E
制造厂商: AOS
所在分类: 32. 其它系列场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 -- 暂无
Description场效应管
数 量:

DTM4953BDY
100Y编号: 130898
厂商编号: DTM4953BDY
制造厂商:
所在分类: 32. 其它系列场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 -- 暂无
Description
Pins/Package
Pd(max.)
数 量:

2SK1686
SANYO_N-Ch. MOSFET
100Y编号: 130862
厂商编号: 2SK1686
制造厂商: SANYO
所在分类: 32. 其它系列场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 -- 暂无
DescriptionSANYO_N-Ch. MOSFET
Pins/PackageTO-3P
Pd(max.)70W
数 量:

VN0300L-G
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
100Y编号: 130701
厂商编号: VN0300L-G
制造厂商: MICRO-CHIP
所在分类: 32. 其它系列场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
Pins/Package3P/TO-92
Pd(max.)1W
数 量:

AP8022H
电磁炉芯片
100Y编号: 128244
厂商编号: AP8022H
制造厂商:
所在分类: 32. 其它系列场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 -- 暂无
Description电磁炉芯片
Pins/Package DIP-8
Pd(max.)
数 量:

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