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MRF101AN
RF Power LDMOS Transistor
100Y编号: 74828
厂商编号: MRF101AN
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionRF Power LDMOS Transistor
Pins/Package3P/TO-220
Pd(max.)182W
数 量:

PMV40UN
NXP SOT23 TrenchMOS(TM) ultra low level FET
100Y编号: 65299
厂商编号: PMV40UN
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionNXP SOT23 TrenchMOS(TM) ultra low level FET
Pins/PackageSOT-23
Pd(max.)1.9W
数 量:

BST72A
NXP_场效应电晶体
100Y编号: 71435
厂商编号: BST72A
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionNXP_场效应电晶体
Pins/Package3P/TO-92
Pd(max.)0.83W
数 量:

BS250
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
100Y编号: 54397
厂商编号: BS250
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionP-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Pins/Package3P/TO-92
Pd(max.)0.83W
数 量:

PHP30NQ15T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
100Y编号: 58053
厂商编号: PHP30NQ15T
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor
Pins/Package3P/SOT78 (TO-220AB)
Pd(max.)150W
数 量:

2N7002
PHILIPS_场效应电晶体
100Y编号: 52411
厂商编号: 2N7002
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionPHILIPS_场效应电晶体
Pins/Package3P/SOT-23
Pd(max.)0.83W
数 量:

BSP126
N沟道增强模式垂直型D-MOS t电晶体
100Y编号: 45724
厂商编号: BSP126
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN沟道增强模式垂直型D-MOS t电晶体
Pins/Package4P/SOT223
Pd(max.)1.5
数 量:

BFR30
N沟道场效应电晶体
100Y编号: 40920
厂商编号: BFR30
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN沟道场效应电晶体
Pins/PackageSOT-23
Pd(max.)250mW
数 量:

2PA733P
PNP 通用电晶体
100Y编号: 41568
厂商编号: 2PA733P
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionPNP 通用电晶体
Pins/PackageTO-92
PolPNP
数 量:

BFG540
NPN 9 GHZ 宽频电晶体
100Y编号: 41818
厂商编号: BFG540
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionNPN 9 GHZ 宽频电晶体
Pins/PackageSOT143B
PolNPN
数 量:

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