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NX3008NBK,215
N-channel Trench MOSFET
100Y编号: 102085
厂商编号: NX3008NBK,215
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN-channel Trench MOSFET
Pins/PackageTO-236LS-3
Pd(max.)350 mW
数 量:

PMDXB600UNELZ
20V, Dual N-Channel Trench MOSFET
100Y编号: 105342
厂商编号: PMDXB600UNELZ
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description20V, Dual N-Channel Trench MOSFET
Pins/PackageDFN-1010B-6 (SOT1216)
Pd(max.)
数 量:

BUK453-60A
PowerMOS Transistor
100Y编号: 99785
厂商编号: BUK453-60A
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionPowerMOS Transistor
Pins/Package3P/TO-220
Pd(max.)75W
数 量:

PMV30XN,215
20V,3.2A N-channel Trench Mosfet
100Y编号: 105540
厂商编号: PMV30XN,215
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description20V,3.2A N-channel Trench Mosfet
Pins/PackageSOT-23-3
Pd(max.)
数 量:

BS107T
N沟道增强模式垂直型D-MOS 电晶体
100Y编号: 22499
厂商编号: BS107T
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN沟道增强模式垂直型D-MOS 电晶体
Pins/Package3P/TO-92
Pd(max.)830mW
数 量:

BUK111-50GL
逻辑层 TOPFET
100Y编号: 29170
厂商编号: BUK111-50GL
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description逻辑层 TOPFET
Pins/PackageTO-263-5L
Pd(max.)52W
数 量:

PHP4ND40E
功率场效电晶体
100Y编号: 37692
厂商编号: PHP4ND40E
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description功率场效电晶体
Pins/PackageTO-220AB
Pd(max.)83W
数 量:

PHB4ND40E
功率场效电晶体
100Y编号: 37693
厂商编号: PHB4ND40E
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description功率场效电晶体
Pins/PackageSOT-404
Pd(max.)83W
数 量:

SI2302DS
N沟道增强模式场效电晶体
100Y编号: 35247
厂商编号: SI2302DS
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN沟道增强模式场效电晶体
Pins/PackageSOT23
Pd(max.)0.83 W
数 量:

PMBF4393
N沟道 FET
100Y编号: 34445
厂商编号: PMBF4393
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN沟道 FET
Pins/PackageSOT23
Pd(max.)250mW
数 量:

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