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HAMAMATSU 制造厂商共有 154 个产品      |<<    <<    >>    >>|    页次:7 / 16        转到:

S5668-11
滨松_光接收二极体
100Y编号: 87930
厂商编号: S5668-11
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description滨松_光接收二极体
λP(nm)960nm
Vr10V
数 量:

S5668-34
滨松_光接收二极体
100Y编号: 87931
厂商编号: S5668-34
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description滨松_光接收二极体
λP(nm)800nm
Vr10V
数 量:

S1337-1010BR
滨松_PHOTO IC DIODE
100Y编号: 55347
厂商编号: S1337-1010BR
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description滨松_PHOTO IC DIODE
λP(nm)960nm
Vr5V
数 量:

S1087
滨松_Ceramic package photodiode with low dark current
100Y编号: 37543
厂商编号: S1087
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description滨松_Ceramic package photodiode with low dark current
λP(nm)
△θ(deg)
数 量:

S1087-01
滨松_Ceramic package photodiode with low dark current
100Y编号: 37544
厂商编号: S1087-01
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description滨松_Ceramic package photodiode with low dark current
λP(nm)
△θ(deg)
数 量:

G1962
滨松_GaP photodiode
100Y编号: 55390
厂商编号: G1962
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description滨松_GaP photodiode
λP(nm)440nm
Vr5V
数 量:

G5645
Photodiode With Sensitivity In The Short Wavelength Region
100Y编号: 55391
厂商编号: G5645
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionPhotodiode With Sensitivity In The Short Wavelength Region
λP(nm) 470nm(300~580nm)
△θ(deg)
数 量:

S10604
滨松_Photo IC Diode
100Y编号: 55393
厂商编号: S10604
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description滨松_Photo IC Diode
λP(nm)560nm
Vr5V
数 量:

S2387-130R
滨松_photodiode
100Y编号: 28358
厂商编号: S2387-130R
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 制造厂商资料 --
Description滨松_photodiode
λP(nm)960nm
△θ(deg)
数 量:

S6968
HAMAMATSU_光接收二极体
100Y编号: 99917
厂商编号: S6968
制造厂商: HAMAMATSU
所在分类: 23. HAMAMATSU_光接收二极体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionHAMAMATSU_光接收二极体
λP(nm)960
△θ(deg)
数 量:

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