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						| 
						1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT  | 
					 
					
						| 100Y编号: | 
						
						
						57172 | 
					 
					
						| 厂商编号: | 
						ATF-36163 | 
					 
					
						| 制造厂商: | 
						Agilent  | 
					 
					
						| 所在分类: | 
						32. 其它系列场效电晶体
						 | 
					 
					
						| 技术资料: | 
						PDF目录 --
						暂无  | 
						制造厂商资料 --    | 
					 
				 
				 | 
				 | Description | 1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT |   | Pins/Package | 6P/SOT-363 |   | 重量 | 0.01g |   
				
				
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						| 
						N-CHANNEL ENHANCEMENT  | 
					 
					
						| 100Y编号: | 
						
						
						55111 | 
					 
					
						| 厂商编号: | 
						ZVN3310A | 
					 
					
						| 制造厂商: | 
						ZETEX  | 
					 
					
						| 所在分类: | 
						32. 其它系列场效电晶体
						 | 
					 
					
						| 技术资料: | 
						PDF目录 --
						暂无  | 
						制造厂商资料 --    | 
					 
				 
				 | 
				 | Description | N-CHANNEL ENHANCEMENT |   | Pins/Package | 3P/TO-92 |   | Pd(max.) | 625mW |   
				
				
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						| 
						Logic Level,N-Channel Power MOSFET  | 
					 
					
						| 100Y编号: | 
						
						
						54456 | 
					 
					
						| 厂商编号: | 
						RFP8N20L | 
					 
					
						| 制造厂商: | 
						Intersil  | 
					 
					
						| 所在分类: | 
						32. 其它系列场效电晶体
						 | 
					 
					
						| 技术资料: | 
						PDF目录 --
						暂无  | 
						制造厂商资料 --    | 
					 
				 
				 | 
				 | Description | Logic Level,N-Channel Power MOSFET |   | Pins/Package | 3P/TO-220AB |   | Pd(max.) | 60W |   
				
				
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						| 
						P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET  | 
					 
					
						| 100Y编号: | 
						
						
						54422 | 
					 
					
						| 厂商编号: | 
						BS250F | 
					 
					
						| 制造厂商: | 
						ZETEX  | 
					 
					
						| 所在分类: | 
						32. 其它系列场效电晶体
						 | 
					 
					
						| 技术资料: | 
						PDF目录 --
						暂无  | 
						制造厂商资料 --    | 
					 
				 
				 | 
				 | Description | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |   | Pins/Package | 3P/SOT-23 |   | Pd(max.) | 330mW |   
				
				
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						| 
						N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS  | 
					 
					
						| 100Y编号: | 
						
						
						53553 | 
					 
					
						| 厂商编号: | 
						APT5025BN | 
					 
					
						| 制造厂商: | 
						APT  | 
					 
					
						| 所在分类: | 
						32. 其它系列场效电晶体
						 | 
					 
					
						| 技术资料: | 
						PDF目录 --
						暂无  | 
						制造厂商资料 --    | 
					 
				 
				 | 
				 | Description | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |   | Pins/Package | TO-247 |   | Pd(max.) | 310W |   
				
				
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						| 
						P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  | 
					 
					
						| 100Y编号: | 
						
						
						43500 | 
					 
					
						| 厂商编号: | 
						CEP12P10 | 
					 
					
						| 制造厂商: | 
						CET  | 
					 
					
						| 所在分类: | 
						32. 其它系列场效电晶体
						 | 
					 
					
						| 技术资料: | 
						PDF目录 --
						暂无  | 
						制造厂商资料 --    | 
					 
				 
				 | 
				 | Description | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |   | Pins/Package | 3P/TO-220 |   | Pd(max.) | 75W |   
				
				
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						| 
						N-Ch. Enhancement Mode Field Effect Transistor  | 
					 
					
						| 100Y编号: | 
						
						
						43085 | 
					 
					
						| 厂商编号: | 
						AO3402 | 
					 
					
						| 制造厂商: | 
						AOS  | 
					 
					
						| 所在分类: | 
						32. 其它系列场效电晶体
						 | 
					 
					
						| 技术资料: | 
						PDF目录 --
						暂无  | 
						制造厂商资料 --    | 
					 
				 
				 | 
				 | Description | N-Ch. Enhancement Mode Field Effect Transistor |   | Pins/Package | SOT-23 |   | Pd(max.) | 1.4W |   
				
				
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						| 
						P-Ch. Enhancement Mode Field Effect Transistor  | 
					 
					
						| 100Y编号: | 
						
						
						43084 | 
					 
					
						| 厂商编号: | 
						AO3401 | 
					 
					
						| 制造厂商: | 
						AOS  | 
					 
					
						| 所在分类: | 
						32. 其它系列场效电晶体
						 | 
					 
					
						| 技术资料: | 
						PDF目录 --
						暂无  | 
						制造厂商资料 --    | 
					 
				 
				 | 
				 | Description | P-Ch. Enhancement Mode Field Effect Transistor |   | Pins/Package | 3P/TO-236 |   | Pd(max.) |  |   
				
				
				 | 
			 
		 
		
		
			
				
				
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				   | 
				
				
					
						| 
						a MOS FET type transistor specificallydesigned for VHF/UHF High power amplifiers applications  | 
					 
					
						| 100Y编号: | 
						
						
						42028 | 
					 
					
						| 厂商编号: | 
						RD15HVF1 | 
					 
					
						| 制造厂商: | 
						MITSUBISHI  | 
					 
					
						| 所在分类: | 
						32. 其它系列场效电晶体
						 | 
					 
					
						| 技术资料: | 
						PDF目录 --
						暂无  | 
						制造厂商资料 --    | 
					 
				 
				 | 
				 | Description | a MOS FET type transistor specificallydesigned for VHF/UHF High power amplifiers applications |   | Pins/Package | TO-220 |   | Pd(max.) | 48W |   
				
				
				 | 
			 
		 
		
		
			
				
				
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						| 
						Agilent ATF-54143 Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT  | 
					 
					
						| 100Y编号: | 
						
						
						41769 | 
					 
					
						| 厂商编号: | 
						ATF-54143-TR1 | 
					 
					
						| 制造厂商: | 
						Agilent  | 
					 
					
						| 所在分类: | 
						32. 其它系列场效电晶体
						 | 
					 
					
						| 技术资料: | 
						PDF目录 --
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				 | 
				 | Description | Agilent ATF-54143 Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT |   | Pins/Package | SOT-343 |   | 重量 | 0.01g |   
				
				
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				| 上海·胜特力电子 | 
			 
			
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            86-21-54151736 
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