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其它系列场效电晶体 小分类共有 299 个产品
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Logic Level,N-Channel Power MOSFET |
| 100Y编号： |
54456 |
| 厂商编号： |
RFP8N20L |
| 制造厂商： |
Intersil |
| 所在分类： |
32. 其它系列场效电晶体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 --  |
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| Description | Logic Level,N-Channel Power MOSFET | | Pins/Package | 3P/TO-220AB | | Pd(max.) | 60W |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| 100Y编号： |
54422 |
| 厂商编号： |
BS250F |
| 制造厂商： |
ZETEX |
| 所在分类： |
32. 其它系列场效电晶体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | | Pins/Package | 3P/SOT-23 | | Pd(max.) | 330mW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| 100Y编号： |
53553 |
| 厂商编号： |
APT5025BN |
| 制造厂商： |
APT |
| 所在分类： |
32. 其它系列场效电晶体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | | Pins/Package | TO-247 | | Pd(max.) | 310W |
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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 100Y编号： |
43500 |
| 厂商编号： |
CEP12P10 |
| 制造厂商： |
CET |
| 所在分类： |
32. 其它系列场效电晶体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | | Pins/Package | 3P/TO-220 | | Pd(max.) | 75W |
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N-Ch. Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 100Y编号： |
43085 |
| 厂商编号： |
AO3402 |
| 制造厂商： |
AOS |
| 所在分类： |
32. 其它系列场效电晶体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | N-Ch. Enhancement Mode Field Effect Transistor | | Pins/Package | SOT-23 | | Pd(max.) | 1.4W |
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P-Ch. Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 100Y编号： |
43084 |
| 厂商编号： |
AO3401 |
| 制造厂商： |
AOS |
| 所在分类： |
32. 其它系列场效电晶体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | P-Ch. Enhancement Mode Field Effect Transistor | | Pins/Package | 3P/TO-236 | | Pd(max.) | |
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a MOS FET type transistor specificallydesigned for VHF/UHF High power amplifiers applications |
| 100Y编号： |
42028 |
| 厂商编号： |
RD15HVF1 |
| 制造厂商： |
MITSUBISHI |
| 所在分类： |
32. 其它系列场效电晶体
|
| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | a MOS FET type transistor specificallydesigned for VHF/UHF High power amplifiers applications | | Pins/Package | TO-220 | | Pd(max.) | 48W |
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Agilent ATF-54143 Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT |
| 100Y编号： |
41769 |
| 厂商编号： |
ATF-54143-TR1 |
| 制造厂商： |
Agilent |
| 所在分类： |
32. 其它系列场效电晶体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | Agilent ATF-54143 Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT | | Pins/Package | SOT-343 | | 重量 | 0.01g |
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Low Noise Pseudomorphic HEMT |
| 100Y编号： |
41768 |
| 厂商编号： |
ATF-34143-TR1 |
| 制造厂商： |
Agilent |
| 所在分类： |
32. 其它系列场效电晶体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | Low Noise Pseudomorphic HEMT | | Pins/Package | SOT-343 | | 重量 | 0.01g |
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Compound Field Effect Power Transistor |
| 100Y编号： |
41684 |
| 厂商编号： |
UPA672T |
| 制造厂商： |
NEC |
| 所在分类： |
32. 其它系列场效电晶体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | Compound Field Effect Power Transistor | | Pins/Package | 6P/SMD | | Pd(max.) | 200mW |
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