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TOSHIBA_功率场效电晶体 小分类共有 167 个产品
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矽控N沟道 MOS type |
| 100Y编号： |
15663 |
| 厂商编号： |
2SK1358 |
| 制造厂商： |
TOSHIBA |
| 所在分类： |
32. TOSHIBA_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
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制造厂商资料 -- |
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| Description | 矽控N沟道 MOS type | | Pins/Package | TO-3P | | Pd(max.) | 150W |
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功率MOSFET(N沟道) |
| 100Y编号： |
15127 |
| 厂商编号： |
2SK1120 |
| 制造厂商： |
TOSHIBA |
| 所在分类： |
32. TOSHIBA_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
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制造厂商资料 -- |
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| Description | 功率MOSFET(N沟道) | | Pins/Package | 3P/TO-3PN | | Pd(max.) | 150W |
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功率MOSFET |
| 100Y编号： |
10949 |
| 厂商编号： |
2SK2698 |
| 制造厂商： |
TOSHIBA |
| 所在分类： |
32. TOSHIBA_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
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制造厂商资料 -- |
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| Description | 功率MOSFET | | Pins/Package | 3P/TO3PN | | Pd(max.) | 150W |
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N ch. Field effect transistor for high power amplifier application |
| 100Y编号： |
6036 |
| 厂商编号： |
2SK1529Y |
| 制造厂商： |
TOSHIBA |
| 所在分类： |
32. TOSHIBA_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
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制造厂商资料 -- |
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| Description | N ch. Field effect transistor for high power amplifier application | | Pins/Package | 3P/TO3PN | | Pd(max.) | 120W |
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功率 MOSFET |
| 100Y编号： |
6026 |
| 厂商编号： |
2SK793 |
| 制造厂商： |
TOSHIBA |
| 所在分类： |
32. TOSHIBA_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
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制造厂商资料 -- |
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| Description | 功率 MOSFET | | Pins/Package | 3P/TO-247 | | Pd(max.) | 150W |
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功率场效应电晶体（矽控N沟道结型） |
| 100Y编号： |
6013 |
| 厂商编号： |
2SK117GR |
| 制造厂商： |
TOSHIBA |
| 所在分类： |
32. TOSHIBA_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
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制造厂商资料 -- |
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| Description | 功率场效应电晶体（矽控N沟道结型） | | Pins/Package | 3P/TO-92 | | Pd(max.) | 300mW |
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功率场效应电晶体（矽控N沟道结型） |
| 100Y编号： |
4865 |
| 厂商编号： |
2SK30ATM-Y |
| 制造厂商： |
TOSHIBA |
| 所在分类： |
32. TOSHIBA_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
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制造厂商资料 -- |
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| Description | 功率场效应电晶体（矽控N沟道结型） | | Pins/Package | 3P/TO-92 | | Pd(max.) | 100mW |
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