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NXP_功率场效电晶体 小分类共有 72 个产品
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N-channel 30 V 1.7 Mω logic level MOSFET in LFPAK |
| 100Y编号： |
85793 |
| 厂商编号： |
PSMN1R7-30YL |
| 制造厂商： |
NXP |
| 所在分类： |
32. NXP_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
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暂无 |
制造厂商资料 --  |
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| Description | N-channel 30 V 1.7 Mω logic level MOSFET in LFPAK | | Pins/Package | SOT-669 | | Pd(max.) | 109W |
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N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET |
| 100Y编号： |
85792 |
| 厂商编号： |
PSMN070-200B |
| 制造厂商： |
NXP |
| 所在分类： |
32. NXP_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
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暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET | | Pins/Package | SOT-404 | | Pd(max.) | 250W |
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N-channel TrenchMOS? Extremely low level FET |
| 100Y编号： |
85791 |
| 厂商编号： |
PMR290XN |
| 制造厂商： |
NXP |
| 所在分类： |
32. NXP_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
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暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | N-channel TrenchMOS? Extremely low level FET | | Pins/Package | SOT-416 | | Pd(max.) | 530mW |
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N-channel silicon field-effect transistors |
| 100Y编号： |
84612 |
| 厂商编号： |
J111,126 |
| 制造厂商： |
NXP |
| 所在分类： |
32. NXP_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
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暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | N-channel silicon field-effect transistors | | Pins/Package | 3P/SOT-54 | | Pd(max.) | 400mW |
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N沟道增强模式垂直型D-MOS t电晶体 |
| 100Y编号： |
78444 |
| 厂商编号： |
BSP130 |
| 制造厂商： |
NXP |
| 所在分类： |
32. NXP_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
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制造厂商资料 -- |
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| Description | N沟道增强模式垂直型D-MOS t电晶体 | | Pins/Package | SOT-223 | | Pd(max.) | 1.5W |
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RF Power LDMOS Transistor |
| 100Y编号： |
74828 |
| 厂商编号： |
MRF101AN |
| 制造厂商： |
NXP |
| 所在分类： |
32. NXP_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
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制造厂商资料 -- |
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| Description | RF Power LDMOS Transistor | | Pins/Package | 3P/TO-220 | | Pd(max.) | 182W |
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NXP_场效应电晶体 |
| 100Y编号： |
71435 |
| 厂商编号： |
BST72A |
| 制造厂商： |
NXP |
| 所在分类： |
32. NXP_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
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制造厂商资料 -- |
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| Description | NXP_场效应电晶体 | | Pins/Package | 3P/TO-92 | | Pd(max.) | 0.83W |
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NXP SOT23 TrenchMOS(TM) ultra low level FET |
| 100Y编号： |
65299 |
| 厂商编号： |
PMV40UN |
| 制造厂商： |
NXP |
| 所在分类： |
32. NXP_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
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暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | NXP SOT23 TrenchMOS(TM) ultra low level FET | | Pins/Package | SOT-23 | | Pd(max.) | 1.9W |
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N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 100Y编号： |
58053 |
| 厂商编号： |
PHP30NQ15T |
| 制造厂商： |
NXP |
| 所在分类： |
32. NXP_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
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制造厂商资料 -- |
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| Description | N-channel enhancement mode field-effect transistor | | Pins/Package | 3P/SOT78 (TO-220AB) | | Pd(max.) | 150W |
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P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| 100Y编号： |
54397 |
| 厂商编号： |
BS250 |
| 制造厂商： |
NXP |
| 所在分类： |
32. NXP_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
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制造厂商资料 -- |
|
| Description | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor | | Pins/Package | 3P/TO-92 | | Pd(max.) | 0.83W |
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