Infineon_功率场效电晶体 小分类共有 63 个产品
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OPTIMOS 3 Power Transistor |
100Y编号: |
97769 |
厂商编号: |
IPD135N03L G |
制造厂商: |
Infineon |
所在分类: |
32. Infineon_功率场效电晶体
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技术资料: |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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Description | OPTIMOS 3 Power Transistor | Pins/Package | 3P/TO-252 | Pd(max.) | 31W |
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OptiMOSTM 3 Power-Transistor |
100Y编号: |
97688 |
厂商编号: |
IPP147N03LG |
制造厂商: |
Infineon |
所在分类: |
32. Infineon_功率场效电晶体
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技术资料: |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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Description | OptiMOSTM 3 Power-Transistor | Pins/Package | 3P/TO-220 | Pd(max.) | 31W |
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650V CoolMOS C7 Power Transistor |
100Y编号: |
95843 |
厂商编号: |
IPW65R019C7 |
制造厂商: |
Infineon |
所在分类: |
32. Infineon_功率场效电晶体
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技术资料: |
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制造厂商资料 -- |
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Description | 650V CoolMOS C7 Power Transistor | Pins/Package | 3P/PG-TO-247 | Pd(max.) | 446W |
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CoolMOS Power Transistor |
100Y编号: |
94342 |
厂商编号: |
IPW60R099CP |
制造厂商: |
Infineon |
所在分类: |
32. Infineon_功率场效电晶体
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技术资料: |
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制造厂商资料 -- |
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Description | CoolMOS Power Transistor | Pins/Package | PG-TO-247-3-1 | Pd(max.) | 255W |
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CoolMOSTM Power Transistor |
100Y编号: |
93660 |
厂商编号: |
IPP50R299CP |
制造厂商: |
Infineon |
所在分类: |
32. Infineon_功率场效电晶体
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技术资料: |
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暂无 |
制造厂商资料 -- |
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Description | CoolMOSTM Power Transistor | Pins/Package | 3P/TO-220 | Pd(max.) | 104W |
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OptiMOS 3 Power-Transistor |
100Y编号: |
93054 |
厂商编号: |
IPP60R250CP |
制造厂商: |
Infineon |
所在分类: |
32. Infineon_功率场效电晶体
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技术资料: |
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制造厂商资料 -- |
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Description | OptiMOS 3 Power-Transistor | Pins/Package | 3P/TO-220 | Pd(max.) | 104W |
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Cool MOS? Power Transistor |
100Y编号: |
93051 |
厂商编号: |
SPA15N60C3 |
制造厂商: |
Infineon |
所在分类: |
32. Infineon_功率场效电晶体
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技术资料: |
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制造厂商资料 -- |
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Description | Cool MOS? Power Transistor | Pins/Package | 3P/ TO-220 | Pd(max.) | 34W |
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OptiMOS 3 Power-Transistor |
100Y编号: |
92591 |
厂商编号: |
IPP041N04NG |
制造厂商: |
Infineon |
所在分类: |
32. Infineon_功率场效电晶体
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技术资料: |
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暂无 |
制造厂商资料 -- |
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Description | OptiMOS 3 Power-Transistor | Pins/Package | 3P/PG-TO220 | Pd(max.) | 94W |
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N 沟道MOSFET |
100Y编号: |
91066 |
厂商编号: |
SPW47N60CFD |
制造厂商: |
Infineon |
所在分类: |
32. Infineon_功率场效电晶体
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技术资料: |
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制造厂商资料 -- |
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Description | N 沟道MOSFET | Pins/Package | 3P/PG-TO247 | Pd(max.) | 417W |
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600V CoolGaN Enhancement-mode Power transistor |
100Y编号: |
90039 |
厂商编号: |
IGT60R190D1SATMA1 |
制造厂商: |
Infineon |
所在分类: |
32. Infineon_功率场效电晶体
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技术资料: |
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制造厂商资料 -- |
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Description | 600V CoolGaN Enhancement-mode Power transistor | Pins/Package | PG-HSOF-8 | Pd(max.) | 55.5W |
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