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2N_场效电晶体 小分类共有 35 个产品      >>    >>|    页次:1 / 4        转到:

2N6453
场效应电晶体
100Y编号: 150652
厂商编号: 2N6453
制造厂商: MOTOROLA
所在分类: 32. 2N_场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description场效应电晶体
Pins/PackageTO-72-3
Pd(max.)360mW
数 量:

2N4416A
场效应电晶体
100Y编号: 87075
厂商编号: 2N4416A
制造厂商: VISHAY
所在分类: 32. 2N_场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description场效应电晶体
Pins/PackageTO-206AF
Pd(max.)300mW
数 量:

2N7002HG
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
100Y编号: 86114
厂商编号: 2N7002HG
制造厂商:
所在分类: 32. 2N_场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Pins/Package3P/SOT-23
Pd(max.)350mW
数 量:

IRFR9024NTRPBF
IR_HEXFET 电源 MOSFET
100Y编号: 86100
厂商编号: IRFR9024NTRPBF
制造厂商: IR
所在分类: 32. 2N_场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionIR_HEXFET 电源 MOSFET
Pins/PackageD-PAK
Pd(max.)38W
数 量:

IRF7314TRPBF
IR HEXFET Power MOSFET
100Y编号: 85688
厂商编号: IRF7314TRPBF
制造厂商: IR
所在分类: 32. 2N_场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionIR HEXFET Power MOSFET
Pins/Package8P/SOIC
Pd(max.)2W
数 量:

2N4117A
N-Channel JFETs
100Y编号: 64289
厂商编号: 2N4117A
制造厂商: VISHAY
所在分类: 32. 2N_场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN-Channel JFETs
Pins/Package4P/TO-72
Pd(max.)300mW
数 量:

2N7002
N-Channel MOSFET
100Y编号: 60037
厂商编号: 2N7002
制造厂商: MCC
所在分类: 32. 2N_场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN-Channel MOSFET
Pins/PackageSOT-23
Pd(max.)200mW
数 量:

2N7002
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
100Y编号: 60035
厂商编号: 2N7002
制造厂商: PANJIT
所在分类: 32. 2N_场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN-Channel Enhancement Mode MOSFET
Pins/PackageSOT-23
Pd(max.)350mW
数 量:

2N7002G-AE2-R
2N~系列场效应电晶体
100Y编号: 53765
厂商编号: 2N7002G-AE2-R
制造厂商: UTC
所在分类: 32. 2N_场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description2N~系列场效应电晶体
Pins/Package3P/SOT23
Pd(max.)200mW
数 量:

2N7002A-RTK/P
N Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
100Y编号: 46500
厂商编号: 2N7002A-RTK/P
制造厂商: KEC
所在分类: 32. 2N_场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Pins/Package3P/SOT-23
Pd(max.)200
数 量:

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