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红外线发射二极体 小分类共有 79 个产品
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5mm Infrared LED |
| 100Y编号： |
115273 |
| 厂商编号： |
YY-IRA5012C2-940mm |
| 制造厂商： |
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| 所在分类： |
23. 红外线发射二极体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 --  |
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| Description | 5mm Infrared LED | | Po (mW) | 60mW | | Vf@lf(mA) | 1.2V |
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5mm Infrared LED |
| 100Y编号： |
115272 |
| 厂商编号： |
YY-IRP5012C2-850mm |
| 制造厂商： |
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| 所在分类： |
23. 红外线发射二极体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | 5mm Infrared LED | | Po (mW) | 90mW | | Vf@lf(mA) | 1.45V |
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1206 Package Chip Infrared LED With Inner Len |
| 100Y编号： |
115151 |
| 厂商编号： |
HIR11-21C/L11/TR8 |
| 制造厂商： |
EVERLIGHT |
| 所在分类： |
23. 红外线发射二极体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | 1206 Package Chip Infrared LED With Inner Len | | Po (mW) | 130mW | | Vf@lf(mA) | 1.45V |
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1.5mm Side Face Infrared LED |
| 100Y编号： |
113962 |
| 厂商编号： |
IR908-7C |
| 制造厂商： |
EVERLIGHT |
| 所在分类： |
23. 红外线发射二极体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | 1.5mm Side Face Infrared LED | | Po (mW) | 75mW | | Vf@lf(mA) | 1.2V@50mA |
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High Speed Infrared Emitting Diode,850nm, GaAIAs Double Hetero |
| 100Y编号： |
112235 |
| 厂商编号： |
TSHG6400 |
| 制造厂商： |
VISHAY |
| 所在分类： |
23. 红外线发射二极体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | High Speed Infrared Emitting Diode,850nm, GaAIAs Double Hetero | | Po (mW) | 70mW | | Vf@lf(mA) | 1.5V |
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High Speed Infrared Emitting Diode, 940nm, GaAOAs, MQW |
| 100Y编号： |
112213 |
| 厂商编号： |
TSAL6400 |
| 制造厂商： |
VISHAY |
| 所在分类： |
23. 红外线发射二极体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | High Speed Infrared Emitting Diode, 940nm, GaAOAs, MQW | | Po (mW) | 50mW | | Vf@lf(mA) | 1.6V |
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Infrared Emitting Diode, 875nm, GaAIAs |
| 100Y编号： |
112212 |
| 厂商编号： |
TSHA5500 |
| 制造厂商： |
VISHAY |
| 所在分类： |
23. 红外线发射二极体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | Infrared Emitting Diode, 875nm, GaAIAs | | Po (mW) | 30mW | | Vf@lf(mA) | |
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High Speed Infrared Emitting Diode, 940nm, GaAIAs, MQW |
| 100Y编号： |
112211 |
| 厂商编号： |
TSAL4400 |
| 制造厂商： |
VISHAY |
| 所在分类： |
23. 红外线发射二极体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | High Speed Infrared Emitting Diode, 940nm, GaAIAs, MQW | | Po (mW) | 36mW | | Vf@lf(mA) | 1.6V |
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High Speed Infrared Emitting Diode, 830nm, GaAIAs Double Hetero |
| 100Y编号： |
112210 |
| 厂商编号： |
TSHG5510 |
| 制造厂商： |
VISHAY |
| 所在分类： |
23. 红外线发射二极体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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| Description | High Speed Infrared Emitting Diode, 830nm, GaAIAs Double Hetero | | Po (mW) | 32mW | | Vf@lf(mA) | 1.45V |
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High Speed Infrared Emitting Diode, 850nm, GaAIAs Double Hetero |
| 100Y编号： |
112208 |
| 厂商编号： |
TSHG6410 |
| 制造厂商： |
VISHAY |
| 所在分类： |
23. 红外线发射二极体
|
| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
|
| Description | High Speed Infrared Emitting Diode, 850nm, GaAIAs Double Hetero | | Po (mW) | 90mW | | Vf@lf(mA) | 1.5V |
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