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您的位置:首页 > 产品分类索引 > 32. 电晶体+MOSFET+IGBT > . IGBT+GTR+模块
IGBT+GTR+模块 中分类下共有 9 个小分类
1﹒GTR+模块 ( 4 ) 2﹒IGBT+模块 ( 138 ) 3﹒EUPEC_IGBT+模块 ( 69 )
4﹒富士电机_IGBT+模块 ( 39 ) 5﹒Fairchild_IGBT+模块 ( 80 ) 6﹒Infineon_IGBT+模块 ( 53 )
7﹒IXYS_IGBT+模块 ( 80 ) 8﹒IR_IGBT+模块 ( 105 ) 9﹒三菱电机_IGBT+模块 ( 47 )
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FP40R12KE3
Infineon_IGBT 模块
100Y编号: 84643
厂商编号: FP40R12KE3
制造厂商: Infineon
所在分类: 32. Infineon_IGBT+模块
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionInfineon_IGBT 模块
PackageAG-ECONO2-1
Vces1200V
数 量:

FP25R12KT3
EUPEC_IGBT 模块
100Y编号: 84642
厂商编号: FP25R12KT3
制造厂商: EUPEC
所在分类: 32. Infineon_IGBT+模块
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionEUPEC_IGBT 模块
Package
Vces1200V
数 量:

IRGB4061DPBF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
100Y编号: 84227
厂商编号: IRGB4061DPBF
制造厂商: VISHAY
所在分类: 32. Infineon_IGBT+模块
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
PackageTO-220AB
Vces600V
数 量:

GT60M323
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
100Y编号: 84129
厂商编号: GT60M323
制造厂商: TOSHIBA
所在分类: 32. Infineon_IGBT+模块
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionTOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
PackageTO-3P
Vces900V
数 量:

PHMB400B12
IGBT MODULE Single 400A 1200V
100Y编号: 84087
厂商编号: PHMB400B12
制造厂商:
所在分类: 32. Infineon_IGBT+模块
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionIGBT MODULE Single 400A 1200V
PackageE-25
Vces1200V
数 量:

PDMB75E6
IGBT Module-Dual
100Y编号: 84086
厂商编号: PDMB75E6
制造厂商:
所在分类: 32. Infineon_IGBT+模块
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionIGBT Module-Dual
PackageE-54
Vces600V
数 量:

APT60GT60BRG
IGBT 600V 100A 500W TO-247
100Y编号: 84017
厂商编号: APT60GT60BRG
制造厂商: Micro-semi
所在分类: 32. Infineon_IGBT+模块
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionIGBT 600V 100A 500W TO-247
PackageTO-247
Vces600V
数 量:

APT40GT60BRG
IGBT 600V 80A 345W TO-247
100Y编号: 84009
厂商编号: APT40GT60BRG
制造厂商: Micro-semi
所在分类: 32. Infineon_IGBT+模块
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionIGBT 600V 80A 345W TO-247
PackageTO-247
Vces600V
数 量:

MIEB101W1200EH
SPT IGBT
100Y编号: 83648
厂商编号: MIEB101W1200EH
制造厂商: IXYS
所在分类: 32. Infineon_IGBT+模块
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionSPT IGBT
PackageE3-PACKAGE
Vces1200V
数 量:

IXBH42N170
High Voltage, High Gain BIMOSFET
100Y编号: 83644
厂商编号: IXBH42N170
制造厂商: IXYS
所在分类: 32. Infineon_IGBT+模块
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionHigh Voltage, High Gain BIMOSFET
PackageTO-247AD
Vces1700V
数 量:

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