IGBT+GTR+模块 中分类下共有 601 个产品
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1200V XPT IGBT GenX3 w/Diode |
100Y编号: |
91770 |
厂商编号: |
IXYN82N120C3H1 |
制造厂商: |
IXYS |
所在分类: |
32. IXYS_IGBT+模块
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技术资料: |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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Description | 1200V XPT IGBT GenX3 w/Diode | Package | SOT-227B | Vces | 1200V |
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60A, 650V field stop trench gate IGBT with very fast diode |
100Y编号: |
91766 |
厂商编号: |
STGW60H65DRF |
制造厂商: |
ST(SGS) |
所在分类: |
32. IXYS_IGBT+模块
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技术资料: |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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Description | 60A, 650V field stop trench gate IGBT with very fast diode | Package | 3P/TO-247 | Vces | 650V |
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Description | Fairchild IGBT晶体 | Package | 3P/TO-247 | Vces | 650V |
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Description | Fairchild IGBT晶体 | Package | TO-247 | Vces | 1300V |
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Description | IXYS IGBT模块 | Package | SOT-227B | Vces | 600V |
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Description | Smart Power Module | Package | SPM23-AA | Vces | 300 V |
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Description | IGBT Module P-Series | Package | 2 in one-package | Vces | 1400V |
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TOSHIBA Insulated gate bipolar transistor Silicon N Channel IGBT |
100Y编号: |
90537 |
厂商编号: |
GT15J301 |
制造厂商: |
TOSHIBA |
所在分类: |
32. IXYS_IGBT+模块
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技术资料: |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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Description | TOSHIBA Insulated gate bipolar transistor Silicon N Channel IGBT | Package | 3P/TO-220F | Vces | 600V |
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Description | 3-Ph IGBT Module | Package | INSULATED pakage | Vces | 600V |
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PDP TRENCH IGBT 360V 30A 35W TO220AB |
100Y编号: |
88986 |
厂商编号: |
IRG7IA19UPBF |
制造厂商: |
IR |
所在分类: |
32. IXYS_IGBT+模块
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技术资料: |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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Description | PDP TRENCH IGBT 360V 30A 35W TO220AB | Package | TO-220AB | 重量 | 2.1g |
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IGBT+GTR+模块 中分类下共有 601 个产品
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