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J-FET+MOSFET+模块 中分类下共有 15 个小分类
1﹒2N_场效电晶体 ( 35 ) 2﹒2SJ_场效电晶体 ( 30 ) 3﹒2SK_功率场效电晶体 ( 113 )
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10﹒ROHM_功率场效电晶体 ( 171 ) 11﹒ST_功率场效电晶体 ( 409 ) 12﹒TOSHIBA_功率场效电晶体 ( 172 )
13﹒VISHAY_功率场效电晶体 ( 505 ) 14﹒其它系列场效电晶体 ( 301 ) 15﹒MOSFET模块 ( 28 )
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TK11A65W
TOSHIBA_Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ)
100Y编号: 119371
厂商编号: TK11A65W
制造厂商: TOSHIBA
所在分类: 32. TOSHIBA_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionTOSHIBA_Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ)
Pins/PackageTO-220FP-3
Pd(max.)35 W
数 量:

P30NS15LFP
功率场效电晶体
100Y编号: 119182
厂商编号: P30NS15LFP
制造厂商:
所在分类: 32. TOSHIBA_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description功率场效电晶体
Pins/Package 3P/TO-220
Pd(max.)30W
数 量:

STP13NK60ZFP
N-Channel功率场效电晶体
100Y编号: 119049
厂商编号: STP13NK60ZFP
制造厂商: ST(SGS)
所在分类: 32. TOSHIBA_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN-Channel功率场效电晶体
Pins/PackageTO-220FP-3
Pd(max.)35W
数 量:

FQP17P10
Fairchild_功率场效电晶体
100Y编号: 119048
厂商编号: FQP17P10
制造厂商: Fairchild
所在分类: 32. TOSHIBA_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionFairchild_功率场效电晶体
Pins/Package3P/TO-220
Pd(max.)100W
数 量:

AP15N03GJ
电晶体
100Y编号: 118310
厂商编号: AP15N03GJ
制造厂商:
所在分类: 32. TOSHIBA_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description电晶体
Pins/PackageTO-251
Pd(max.)28W
数 量:

BUZ50A
SIPMOS Power Transistor
100Y编号: 117840
厂商编号: BUZ50A
制造厂商: Infineon
所在分类: 32. TOSHIBA_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionSIPMOS Power Transistor
Pins/Package3P/TP-220AB
Pd(max.)75W
数 量:

RJK1053DPB
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
100Y编号: 117749
厂商编号: RJK1053DPB
制造厂商: RENESAS
所在分类: 32. TOSHIBA_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionSilicon N Channel Power MOS FET Power Switching
Pins/PackageLFPAK
Pd(max.)65W
数 量:

FDMS7602S
Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
100Y编号: 117202
厂商编号: FDMS7602S
制造厂商: Fairchild
所在分类: 32. TOSHIBA_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionDual N-Channel PowerTrench MOSFET
Pins/Package8P/Power-56
Pd(max.)1W
数 量:

TPH3205WSB
650V Cascode GaN FET In TO-247 (Source Tab)
100Y编号: 116985
厂商编号: TPH3205WSB
制造厂商:
所在分类: 32. TOSHIBA_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description650V Cascode GaN FET In TO-247 (Source Tab)
Pins/Package3P/TO-247
Pd(max.)125W
数 量:

TPH3205WSBQA
AEC-Q101 Quallfled 650V Cascode GaN FET in TO-247 (Source tab)
100Y编号: 116984
厂商编号: TPH3205WSBQA
制造厂商:
所在分类: 32. TOSHIBA_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionAEC-Q101 Quallfled 650V Cascode GaN FET in TO-247 (Source tab)
Pins/Package3P/TO-247
Pd(max.)125W
数 量:

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