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Vishay Siliconix_P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| 100Y编号： |
82018 |
| 厂商编号： |
SUP53P06-20-E3 |
| 制造厂商： |
VISHAY |
| 所在分类： |
32. VISHAY_功率场效电晶体
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| 技术资料： |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 --  |
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| Description | Vishay Siliconix_P-Channel 60-V (D-S) MOSFET | | Pins/Package | 3Pin/TO-220 | | Pd(max.) | 104W |
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| Description | IR_HEXFET 电源 MOSFET | | Pins/Package | 8P/SOIC | | Pd(max.) | 2.5W |
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| Description | Power MOSFET | | Pins/Package | D2-PAK | | Pd(max.) | 3.1W |
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| Description | Power MOSFET | | Pins/Package | D2-PAK | | Pd(max.) | 125W |
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| Description | Power MOSFET | | Pins/Package | D2-PAK | | Pd(max.) | 125W |
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| Description | IR_HEXFET 电源 MOSFET | | Pins/Package | 6P/TSOP | | Pd(max.) | 0.96W |
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| Description | Power MOSFET | | Pins/Package | 3P/TO-247 | | Pd(max.) | 280W |
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| Description | IR_HEXFET 电源 MOSFET | | Pins/Package | TO-247AC | | Pd(max.) | 517W |
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| Description | P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | | Pins/Package | 6-TSOP | | Pd(max.) | 860mW |
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| Description | Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | | Pins/Package | SO-8 | | Pd(max.) | 2.0W |
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