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J-FET+MOSFET+模块 中分类下共有 15 个小分类
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IRFBC30PBF
HEXFET 电源 MOSFET
100Y编号: 17949
厂商编号: IRFBC30PBF
制造厂商: IR
所在分类: 32. IR_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 制造厂商资料 --
DescriptionHEXFET 电源 MOSFET
Pins/Package3P/TO-220AB
Pd(max.)74W
数 量:

IRFP360PBF
HEXFET 电源 MOSFET
100Y编号: 17948
厂商编号: IRFP360PBF
制造厂商: IR
所在分类: 32. IR_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionHEXFET 电源 MOSFET
Pins/Package3P/TO-247AD
Pd(max.)280W
数 量:

IRFZ48NPBF
IR_HEXFET 电源 MOSFET
100Y编号: 17947
厂商编号: IRFZ48NPBF
制造厂商: IR
所在分类: 32. IR_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionIR_HEXFET 电源 MOSFET
Pins/Package3P/TO-220AB
Pd(max.)130W
数 量:

IRF9640PBF
IR_HEXFET 电源 MOSFET
100Y编号: 17946
厂商编号: IRF9640PBF
制造厂商: IR
所在分类: 32. IR_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 制造厂商资料 --
DescriptionIR_HEXFET 电源 MOSFET
Pins/Package3P/TO-220AB
Pd(max.)125W
数 量:

2SK400
N-FET
100Y编号: 17874
厂商编号: 2SK400
制造厂商: NEC
所在分类: 32. IR_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 制造厂商资料 --
DescriptionN-FET
Pins/PackageTO-218
Pd(max.)100W
数 量:

APT10050JN
Power MOSFET模块
100Y编号: 17626
厂商编号: APT10050JN
制造厂商: APT
所在分类: 32. IR_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionPower MOSFET模块
PackageSOT-227
Pd(max.) W520W
数 量:

RFD14N05LSM
14A, 50V, 0.100 Ohm,逻辑层N沟道功率 MOSFET
100Y编号: 17589
厂商编号: RFD14N05LSM
制造厂商: Fairchild
所在分类: 32. IR_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description14A, 50V, 0.100 Ohm,逻辑层N沟道功率 MOSFET
Pins/PackageDPAK(TO-252AA)
Pd(max.)48W
数 量:

P3055LS
Power Mosfet
100Y编号: 17498
厂商编号: P3055LS
制造厂商: Niko-sem
所在分类: 32. IR_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionPower Mosfet
Pins/Package2P/TO-263
Pd(max.)43W/25 °C 15W/10 °C
数 量:

IRF330
HEXFET 电晶体
100Y编号: 17319
厂商编号: IRF330
制造厂商: IR
所在分类: 32. IR_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 制造厂商资料 --
DescriptionHEXFET 电晶体
Pins/Package2P/TO-3
Pd(max.)75W
数 量:

2SK2662
矽控N通道MOS TYPE(π-MOSV)
100Y编号: 17074
厂商编号: 2SK2662
制造厂商: TOSHIBA
所在分类: 32. IR_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 制造厂商资料 --
Description矽控N通道MOS TYPE(π-MOSV)
Pins/PackageTO-220NIS
Pd(max.)35W
数 量:

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