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J-FET+MOSFET+模块 中分类下共有 15 个小分类
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BSH201
PHILIPS_功率场效电晶体
100Y编号: 29451
厂商编号: BSH201
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionPHILIPS_功率场效电晶体
Pins/PackageSOT23
Id(max.)-0.3A
数 量:

TP0610T-T1
功率场效电晶体
100Y编号: 29448
厂商编号: TP0610T-T1
制造厂商: VISHAY
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description功率场效电晶体
Pins/PackageSOT-23
Pd(max.)0.36W
数 量:

IRFF9120
功率场效电晶体
100Y编号: 29362
厂商编号: IRFF9120
制造厂商: HARRIS
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description功率场效电晶体
Pins/PackageTO-205AF
Pd(max.)20 W
数 量:

2N7000
N沟道增强型场效应管电晶体
100Y编号: 29231
厂商编号: 2N7000
制造厂商: ON-Semi.
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN沟道增强型场效应管电晶体
Pins/Package3P/TO-92
Pd(max.)400mW
数 量:

STW5NA90
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
100Y编号: 29195
厂商编号: STW5NA90
制造厂商: ST(SGS)
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Pins/Package3P/TO-247
Pd(max.)150W
数 量:

STH5NA90FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
100Y编号: 29194
厂商编号: STH5NA90FI
制造厂商: ST(SGS)
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Pins/PackageISOWATT218
Pd(max.)60W
数 量:

STW34NB20
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
100Y编号: 29193
厂商编号: STW34NB20
制造厂商: ST(SGS)
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
Pins/PackageTO-247
Pd(max.)180w
数 量:

2SK1082
功率场效应电晶体
100Y编号: 29187
厂商编号: 2SK1082
制造厂商: Fuji Electric
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description功率场效应电晶体
Pins/PackageTO-3P/3PS
Pd(max.)125W
数 量:

2SK2488
功率场效应电晶体
100Y编号: 29186
厂商编号: 2SK2488
制造厂商: NEC
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description功率场效应电晶体
Pins/PackageTO-3P/3PS
Pd(max.)
数 量:

FS10SM-16A
功率场效电晶体
100Y编号: 29185
厂商编号: FS10SM-16A
制造厂商: MITSUBISHI
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description功率场效电晶体
Pins/PackageTO-3P/3PS
Pd(max.)200W
数 量:

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