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CGH35015F
15W, 3.3-3.9GHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX
100Y编号： 96632
厂商编号： CGH35015F
制造厂商：
所在分类： 32. 其它系列场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description15W, 3.3-3.9GHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX
Pins/Package440196
Pd(max.)15W
数　量：
PH163539G
功率场效电晶体
100Y编号： 96396
厂商编号： PH163539G
制造厂商：
所在分类： 32. 其它系列场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description功率场效电晶体
Pins/PackageSOP-16P
Pd(max.)
数　量：
MMDF2P02HDR2G
POWER MOSFET 2 AMPS,20 VOLT
100Y编号： 96369
厂商编号： MMDF2P02HDR2G
制造厂商： ON-Semi.
所在分类： 32. 其它系列场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionPOWER MOSFET 2 AMPS,20 VOLT
Pins/PackageSO-8
Pd(max.)2W
数　量：
EM6K34T2CR
0.9V Drive Nch + Nch MOSFET
100Y编号： 96351
厂商编号： EM6K34T2CR
制造厂商： ROHM
所在分类： 32. 其它系列场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description0.9V Drive Nch + Nch MOSFET
Pins/Package6P/SOT-563
Pd(max.)150mW
数　量：
AP40T03GP
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
100Y编号： 96172
厂商编号： AP40T03GP
制造厂商：
所在分类： 32. 其它系列场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Pins/PackageTO-220/3P
Pd(max.)31.25W
数　量：
2SJ108
N-channel silicon junction FET
100Y编号： 96167
厂商编号： 2SJ108
制造厂商： PHILIPS
所在分类： 32. 其它系列场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN-channel silicon junction FET
Pins/Package3P/TO-92
Pd(max.)400mW
数　量：
AO3414
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
100Y编号： 96071
厂商编号： AO3414
制造厂商： AOS
所在分类： 32. 其它系列场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Pins/PackageSOT-233
Pd(max.)
数　量：
45MA120
MOSFET Transistor Module
100Y编号： 96053
厂商编号： 45MA120
制造厂商： VISHAY
所在分类： 32. 其它系列场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionMOSFET Transistor Module
Package
Pd(max.) W
数　量：
IRF9230
HEXFET TRANSISTORS
100Y编号： 96010
厂商编号： IRF9230
制造厂商： IR
所在分类： 32. 其它系列场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionHEXFET TRANSISTORS
Pins/PackageTO-204AA
Pd(max.)75W
数　量：
IRF230
HEXFET TRANSISTORS
100Y编号： 96008
厂商编号： IRF230
制造厂商： IR
所在分类： 32. 其它系列场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionHEXFET TRANSISTORS
Pins/PackageTO-3
Pd(max.)75W
数　量：
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