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J-FET+MOSFET+模块 中分类下共有 15 个小分类
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IRFR812TRPBF
功率场效电晶体
100Y编号： 100798
厂商编号： IRFR812TRPBF
制造厂商： IR
所在分类： 32. VISHAY_功率场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description功率场效电晶体
Pins/PackageDPAK-2
Pd(max.)78 W
数　量：
2SJ6920
Silicon P-Channel MOS FET
100Y编号： 100776
厂商编号： 2SJ6920
制造厂商：
所在分类： 32. VISHAY_功率场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionSilicon P-Channel MOS FET
Pins/PackageTO3PL
Pd(max.)
数　量：
2SK2978
Silicon N-Channel MOS FET High Speed Power Switching
100Y编号： 100705
厂商编号： 2SK2978
制造厂商： RENESAS
所在分类： 32. VISHAY_功率场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionSilicon N-Channel MOS FET High Speed Power Switching
Pins/PackageSOT-89
Pd(max.)1W
数　量：
MDF2N60
N-Channel MOSFET 600V, 2.0A, 4.5Ω
100Y编号： 100468
厂商编号： MDF2N60
制造厂商：
所在分类： 32. VISHAY_功率场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN-Channel MOSFET 600V, 2.0A, 4.5Ω
Pins/Package3P/TO-220F
Pd(max.)22.7W
数　量：
FQP12N60C
600V N-Channel MOSFET
100Y编号： 100307
厂商编号： FQP12N60C
制造厂商： Fairchild(ONS)
所在分类： 32. VISHAY_功率场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description600V N-Channel MOSFET
Pins/Package3P/TO-220
Pd(max.)225W
数　量：
TP65H050WSQA
AEC-Q101 Qualifled 650V GaN FET In To-247
100Y编号： 100030
厂商编号： TP65H050WSQA
制造厂商：
所在分类： 32. VISHAY_功率场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionAEC-Q101 Qualifled 650V GaN FET In To-247
Pins/Package3P/TO-247
Pd(max.)150W
数　量：
BUK453-60A
PowerMOS Transistor
100Y编号： 99785
厂商编号： BUK453-60A
制造厂商： NXP
所在分类： 32. VISHAY_功率场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionPowerMOS Transistor
Pins/Package3P/TO-220
Pd(max.)75W
数　量：
IPB60R099CP
CoolMOS Power Transistor
100Y编号： 99726
厂商编号： IPB60R099CP
制造厂商： Infineon
所在分类： 32. VISHAY_功率场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionCoolMOS Power Transistor
Pins/Package3P/PG-TO263
Pd(max.)255W
数　量：
STW78N65M5
Automotive-grade N-channel 650V, 0.024Ω typ., 69A, Mdmesh V Power MOSFET in a TO-247 package
100Y编号： 99723
厂商编号： STW78N65M5
制造厂商： ST(SGS)
所在分类： 32. VISHAY_功率场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionAutomotive-grade N-channel 650V, 0.024Ω typ., 69A, Mdmesh V Power MOSFET in a TO-247 package
Pins/Package3P/TO-247
Pd(max.)450W
数　量：
TN0106N3-G
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
100Y编号： 99697
厂商编号： TN0106N3-G
制造厂商：
所在分类： 32. VISHAY_功率场效电晶体
技术资料： PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionN-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
Pins/PackageTO-92
Pd(max.)1 W
数　量：
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