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J-FET+MOSFET+模块 中分类下共有 15 个小分类
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PMV30XN,215
20V,3.2A N-channel Trench Mosfet
100Y编号: 105540
厂商编号: PMV30XN,215
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description20V,3.2A N-channel Trench Mosfet
Pins/PackageSOT-23-3
Pd(max.)
数 量:

IPI120N04S4-01
OptiMOS?? Power-Transistor
100Y编号: 105539
厂商编号: IPI120N04S4-01
制造厂商: Infineon
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionOptiMOS?? Power-Transistor
Pins/PackageTO262-3
Pd(max.)
数 量:

PMDXB600UNELZ
20V, Dual N-Channel Trench MOSFET
100Y编号: 105342
厂商编号: PMDXB600UNELZ
制造厂商: NXP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description20V, Dual N-Channel Trench MOSFET
Pins/PackageDFN-1010B-6 (SOT1216)
Pd(max.)
数 量:

STB30NF20
ST Enhancement Mode Power MOS Transistor
100Y编号: 105107
厂商编号: STB30NF20
制造厂商: ST(SGS)
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionST Enhancement Mode Power MOS Transistor
Pins/PackageD2PAK(TO-263-3)
Pd(max.)125W
数 量:

IXFN300N10P
功率场效应电晶体
100Y编号: 105030
厂商编号: IXFN300N10P
制造厂商: IXYS
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description功率场效应电晶体
Pins/PackageSOT-227B-4
Pd(max.)1070W
数 量:

IXFN520N075T2
功率场效应电晶体
100Y编号: 105029
厂商编号: IXFN520N075T2
制造厂商: IXYS
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
Description功率场效应电晶体
Pins/PackageSOT-227-B
Pd(max.)940W
数 量:

MIP0222SY
Silicon MOS IC
100Y编号: 104897
厂商编号: MIP0222SY
制造厂商: Panasonic
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionSilicon MOS IC
Pins/Package3P/TO-220
Id(max.)0.585A
数 量:

IXTH1N250
Standard Power MOSFET
100Y编号: 104814
厂商编号: IXTH1N250
制造厂商: IXYS
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionStandard Power MOSFET
Pins/Package3P/TO-247
Pd(max.)250W
数 量:

RJK0330DPB
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
100Y编号: 104479
厂商编号: RJK0330DPB
制造厂商: RENESAS
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionSilicon N Channel Power MOS FET Power Switching
Pins/PackageLFPAK
Pd(max.)55W
数 量:

VP0106N3-G
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
100Y编号: 104415
厂商编号: VP0106N3-G
制造厂商: MICRO-CHIP
所在分类: 32. NXP_功率场效电晶体
技术资料: PDF目录 -- 暂无 制造厂商资料 --
DescriptionP-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
Pins/PackageTO-92
Pd(max.)1W
数 量:

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