红外线发射/光接收元件 中分类下共有 400 个产品
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High Speed Infrared Emitting Diode, 830nm, GaAIAs Double Hetero |
100Y编号: |
112210 |
厂商编号: |
TSHG5510 |
制造厂商: |
VISHAY |
所在分类: |
23. 红外线发射二极体
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技术资料: |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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Description | High Speed Infrared Emitting Diode, 830nm, GaAIAs Double Hetero | Po (mW) | 32mW | Vf@lf(mA) | 1.45V |
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High Speed Infrared Emitting Diode, 850nm, GaAIAs Double Hetero |
100Y编号: |
112208 |
厂商编号: |
TSHG6410 |
制造厂商: |
VISHAY |
所在分类: |
23. 红外线发射二极体
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技术资料: |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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Description | High Speed Infrared Emitting Diode, 850nm, GaAIAs Double Hetero | Po (mW) | 90mW | Vf@lf(mA) | 1.5V |
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Description | OSRAM_红外线发射二极体 | Po (mW) | 180mW | Vf@lf(mA) | 1.5V |
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940nm IR LED |
100Y编号: |
109231 |
厂商编号: |
5mm-940-40 |
制造厂商: |
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所在分类: |
23. 红外线发射二极体
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技术资料: |
PDF目录 --
暂无 |
制造厂商资料 -- |
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Description | 940nm IR LED | Po (mW) | 120mW | Vf@lf(mA) | 2.2V@50mA |
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Description | 0.8mm Height Flat Top Phototransistor | Light Cur. (mA) | 20mA | λP(nm) | 940nm |
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Description | EVERLIGHT_5mm Phototransistor T-1 | Light Cur. (mA) | 20mA | △θ(deg) | |
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Description | 0.8mm Height Flat Top Infrared LED | Po (mW) | 130mW | Vf@lf(mA) | 1.2V@20mA |
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Description | 3mm Infrared LED, T-1 | Po (mW) | 150mW | Vf@lf(mA) | 1.2V@20mA |
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Description | 5mm Infrared LED, T-1 3/4 | Po (mW) | 150mW | Vf@lf(mA) | 1.2V@20mA |
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Description | EVERLIGHT_3mm Phototransistor | Light Cur. (mA) | 20mA | λP(nm) | 940nm |
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深圳·胜特力电子 |
地址:深圳市龙岗区龙城街道爱联中粮祥云广场2A-1807
电话:86-755-83298787
传真:86-755-83640655
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上海·胜特力电子 |
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